8月19日音尘，湖北九峰山施行室本日官宣，该施行室近日在磷化铟（InP）材料领域赢得蹙迫期间冲突，顺利开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探伤器和 FP 结构激光器的外延助长工艺，重要性能野心达到外洋跨越水平。

这一效果亦然国内初次在大尺寸磷化铟材料制备领域已矣从中枢装备到重要材料的国产化协同阁下，为光电子器件产业化发展提供蹙迫撑握。

九峰山施行室 6 英寸磷化铟 PIN 探伤器外延片

行为光通讯、量子诡计等领域的中枢材料，磷化铟（InP）材料的产业化阁下遥远面对大尺寸制备的期间瓶颈，业界主流停留在 3 英寸工艺阶段，崇高的老本使其无法称心下流产业阁下的爆发式增长。

九峰山施行室依托国产 MOCVD 拓荒与 InP 衬底期间，冲突大尺寸外延均匀性抑制贫寒，初次开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探伤器和 FP 结构激光器的外延助长工艺，重要性能野心达到外洋跨越水平，为已矣 6 英寸磷化铟（InP）光芯片的范围化制备打下基础。

材料性能：

· FP 激光器量子阱 PL 发光波长片内模式差

· PIN 探伤器材料本底浓度 11000 cm²/V・s

九峰山施行室外延工艺团队

九峰山施行室暗意，在公共光电子产业高速发展的布景下，光通讯、激光雷达、太赫兹通讯等领域对磷化铟（InP）的需求呈现爆发式增长。据 Yole 瞻望，磷化铟（InP）光电子市集范围 2027 年将达 56 亿好意思元（IT之家注：现汇率约合 402.33 亿元东说念主民币），年复合增长率（CAGR）达 14%。6 英寸磷化铟（InP）工艺的冲突，有望鼓动国产光芯片老本降至 3 英寸工艺的 60%-70%，有助于增强国产光芯片市集竞争力。

九峰山施行室本次纠合国内供应链已矣全链路冲突，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着蹙迫影响，也为产业链自主可控奠定了基础。举例，九峰山施行室本次期间冲突中 6 英寸磷化铟（InP）衬底互助方云南鑫耀的 6 英寸高品性磷化铟单晶片产业化重要期间已已矣冲突，量产在即。改日，施行室将握续优化 6 英寸 InP 外延平台，鼓动下流居品考证，普及产业链自主可控才能，鼓动我国光电子产业升级。